Белые светодиоды на основе широкозонных гетероструктур с квантовыми ямами


Они приходят на смену морально устаревшим лампам накаливания и люминесцентным лампам вследствие своей способности более прямого преобразования электрической энергии в свет и как следствие более высокого КПД. Запатентован светоизлучающий прибор на основе III-нитридов, включающий подложку, первый проводящий слой на подложке, слой-спэйсер на первом проводящем слое, активная область на слое-спэйсере, верхний слой на активной области, второй проводящий слой другого типа проводимости, нежели первый на верхнем слое.

Сами углубления делаются на поверхности сапфировой подложки или травлением, или иным другим способом.

Белые светодиоды на основе широкозонных гетероструктур с квантовыми ямами

Активная область включает в себя слой с квантовой ямой и барьерный слой, содержащий индий. Наряду с этим в конструкции создаются пять периодов квантовых ям, образующих сверхрешетку, способствующую увеличению внешней квантовой эффективности прибора. Для перекрытия всего спектра видимого электромагнитного излучения необходимо создание высокоэффективных светодиодов излучающих в коротковолновом диапазоне видимого спектра, то есть на длине волн нм.

Белые светодиоды на основе широкозонных гетероструктур с квантовыми ямами

Для перекрытия всего спектра видимого электромагнитного излучения необходимо создание высокоэффективных светодиодов излучающих в коротковолновом диапазоне видимого спектра, то есть на длине волн нм. Решение, предлагаемое в этом патенте, также использует выращивание толстой структуры на основе InGaN для преодоления проблемы рассогласования параметров активной области полупроводникового излучателя и подложки.

В реферате патента отмечается, что нитридные полупроводники используются для изготовления излучателей света, и в нитридных лазерах и светодиодах в активной области используется сплав InGaN, что обусловлено возможностью изменять величину ширины запрещенной зоны этого соединения путем изменения состава сплава, и, таким образом, изготавливать излучатели для всех областей спектра.

Чередование этих слое производится таким образом, чтобы обеспечить в конечном итоге. JPB2 ja.

Для этого на ростовой поверхности подложки делается множество углублений, и далее происходит рост эпитаксиального. При изготовлении светодиодной структуры рассматривается вариант, когда такая структура состоит из нескольких квантовых ям. Патентуемая светодиодная гетероструктура на подложке из монокристаллического сапфира, заявляемой полезной модели, представлена на Фиг.

Анализ мирового опыта показывает, что для выращивания НСГ на сапфировой подложке метод MOCVD является предпочтительным по сравнению с другими ростовыми технологиями молекулярно-пучковая эпитаксия, хлор-гидридная эпитаксия и т.

Мировой опыт показывает, что для выращивания нитридных гетероструктур на сапфировой подложке предпочтительным является метод MOCVD по сравнению с другими ростовыми технологиями молекулярно-пучковая эпитаксия, хлор-гидридная эпитаксия и т.

Следующим формируется внешний слой GaN толщиной порядка ангстрем, а затем - три слоя квантовых ям на основе InGaN толщиной около 30 ангстрем каждая и два барьерных слоя на основе GaN толщиной порядка 70 ангстрем.

Однако слои InGaN с высоким содержанием индия, требуемым для работы прибора в зеленой или синей области спектра, трудно выращивать из-за плохого соответствия параметров решетки GaN и InGaN, приводящего к сегрегации сплава во время роста.

Запатентован светоизлучающий прибор на основе полупроводникового соединения нитридов III группы, включающий в себя элемент, в котором слой InGaN заключен между слоями AlGaN с каждой стороны. Наряду с этим в конструкции создаются пять периодов квантовых ям, образующих сверхрешетку, способствующую увеличению внешней квантовой эффективности прибора.

Содержание индия в этом внешнем слое также отличается от содержания индия в активной области.

В настоящее время светоизлучающие диоды, приходят на смену морально устаревшим лампам накаливания и люминесцентным лампам вследствие своей способности более прямого преобразования электрической энергии в свет и как следствие более высокого КПД. EPB1 en. Двойная гетероструктура включает светоизлучающий слой, сформированный из полупроводникового соединения InGaN с низким удельным сопротивлением, легированным для достижения электронного или дырочного типа проводимости.

Полезной моделью является светодиодная гетероструктура на подложке из монокристаллического сапфира.

Сами углубления делаются на поверхности сапфировой подложки или травлением, или иным другим способом. High brightness electroluminescent device emitting in the green to ultraviolet spectrum and method of making the same.

Затем формируется промежуточный слой из нелегированного InGaN толщиной порядка ангстрем. USA1 en. Полезная модель относится к светодиодным гетероструктурам на подложке из монокристаллического сапфира. Для этого на ростовой поверхности подложки делается множество углублений, и далее происходит рост эпитаксиального.

Запатентован полупроводниковый прибор на основе соединений нитрида галлия на двойной гетероструктуре. Двойная гетероструктура включает светоизлучающий слой, сформированный из полупроводникового соединения InGaN с низким удельным сопротивлением, легированным для достижения электронного или дырочного типа проводимости.

В такой ситуации негомогенный состав сплава приводит к эмиссии в нежелательных областях спектра, а для лазеров - в потерях оптического усиления. С целью уменьшения плотности дислокации предлагается выращивание дополнительной сверхрешетки перед выращиванием основной сверхрешетки.

В настоящее время светоизлучающие диоды, все чаще применяются в светотехнике. Активная область включает в себя слой с квантовой ямой и барьерный слой, содержащий индий. Они приходят на смену морально устаревшим лампам накаливания и люминесцентным лампам вследствие своей способности более прямого преобразования электрической энергии в свет и как следствие более высокого КПД.

Вариант в исполнении конструкции патентуемой светодиодной структуры с использованием дополнительной сверхрешетки, с изменяемым составом по индию, приводит к уменьшению внутренних напряжений в структуре и снижению плотности дислокации до 10 7 см -2 и получению совершенной кристаллической структуры.

Effective date: Group III nitride based quantum well light emitting device structures with an indium containing capping structure. Патентуемая светодиодная гетероструктура на подложке из монокристаллического сапфира, заявляемой полезной модели, состоит из элемента объемного сапфира с кристаллической ориентацией поверхности , и выращенных на ней методом газофазной эпитаксии с использованием металлоорганических соединений последовательно слоев: USA1 en.

Наряду с этим в конструкции создаются пять периодов квантовых ям, образующих сверхрешетку, способствующую увеличению внешней квантовой эффективности прибора. Перспективными применениями НСГ на подложках из монокристаллического сапфира являются синие лазеры для оптических накопителей информации и мощные СВЧ транзисторы для систем связи и радиолокации.

EPA2 en. В некоторых конфигурациях светоизлучающий прибор содержит верхний слой на основе InGaN, заключенный между верхним слоем с ограничением и активной областью. Светодиодная гетероструктура по п. Полезная модель отличается от аналогов повышенной эффективностью достигаемой за счет одновременного использования в конструкции светодиодной структуры следующих особенностей.

Глубина каждого углубления составляет не менее 25 нм, но не более 30 нм. Двойная гетероструктура включает светоизлучающий слой, сформированный из полупроводникового соединения InGaN с низким удельным сопротивлением, легированным для достижения электронного или дырочного типа проводимости.

Nitride semiconductor light emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor. Решение, предлагаемое в этом патенте, также использует выращивание толстой структуры на основе InGaN для преодоления проблемы рассогласования параметров активной области полупроводникового излучателя и подложки.

В других конфигурациях светоизлучающий прибор содержит верхний слой ограничения на основе InGaN, сформированный между слоем со вторым типом проводимости и активной областью. В определенных конфигурациях светоизлучающий прибор включает слой с ограничением носителей на основе InGaN, сформированный между слоем с первым типом проводимости и активной областью.

Запатентован светоизлучающий прибор на соединениях нитридов на основе квантовых ям и слоев нитридов, выращиваемых на сапфировых подложках.



Дд панас така то хуйня малята
Порно онлайн жесткий оральный секс
Красивые геи сех
Сара кармен оргазмы
Онлаин геи порно
Читать далее...

<

Меню